隨著超大規(guī)模集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，作為其基礎(chǔ)器件的MOS晶體管尺寸不斷縮小，當(dāng)SiO2柵介質(zhì)的厚度減小到納米量級(jí)時(shí)，通過(guò)SiO2的漏電流隨厚度減小成指數(shù)增長(zhǎng)，這樣巨大的漏電流不僅嚴(yán)重影響到器件性能，而且最終導(dǎo)致SiO2不能起到絕緣作用。使用高介電常數(shù)(即高K材料)替代SiO2是目前最有希望解決此問(wèn)題的途徑。近年來(lái)，人們一直致力于發(fā)展多種硅的前驅(qū)體源來(lái)改善SiO2的ALD工藝過(guò)程，從而能進(jìn)行原子層厚度的控制，也可以避免使用含氯的前驅(qū)體。高K材料的使用使得在保持相同電容密度的同時(shí)柵介質(zhì)可以有比較大的物理厚度，從而避免了在超薄SiO2柵介質(zhì)中隧穿導(dǎo)致的漏電流問(wèn)題。

目前新發(fā)展的硅前驅(qū)體多包含新的配體或者多個(gè)配體的組合，這些配體本身的大小、空間位阻以及鍵能具有一定的可調(diào)范圍，從而可以調(diào)節(jié)硅前驅(qū)體的反應(yīng)性，使得其具有較好的蒸汽壓，這些配體包含胺基以及烴基等等。

相關(guān)的研究表明，三(二甲胺基)硅烷作為前驅(qū)體源不僅具有較好的穩(wěn)定性、較高的蒸汽壓，而且表現(xiàn)出了相當(dāng)高的反應(yīng)性，所以這種有機(jī)硅源成了目前ALD方法沉積SiO2研究的熱點(diǎn)。 

制備方法

目前報(bào)道的三(二甲胺基)硅烷常用合成方法有:

1、用三氯硅烷直接和二甲胺氣體反應(yīng)，但反應(yīng)中需使用6倍當(dāng)量的二甲胺氣體，其中3倍當(dāng)量的二甲胺用于吸收反應(yīng)生成的酸性物質(zhì)，造成原料二甲胺嚴(yán)重的浪費(fèi)，而且反應(yīng)中三氯硅烷上的氯不能完全徹底地被消除取代，產(chǎn)生大量的副產(chǎn)品，后處理復(fù)雜且產(chǎn)率很低；

2、在極低的溫度條件下，用四(二甲胺基)鈦和過(guò)量的硅烷在甲苯溶液中反應(yīng)，反應(yīng)溫度條件苛刻，且原料四(二甲胺基)鈦需預(yù)先制備獲得，制備過(guò)程復(fù)雜，成本高，甲苯作溶劑污染大，有毒性；

3、在90° C條件下用三(二甲胺基)氯化硅和叔丁基鋰在甲苯溶液中反應(yīng)，同樣地，反應(yīng)原料三(二甲胺基)氯化硅需預(yù)先制備獲得，制備過(guò)程復(fù)雜，成本高，同時(shí)這種合成方法產(chǎn)生大量的副產(chǎn)物三(二甲胺基)叔丁基硅，反應(yīng)的產(chǎn)率低。

一種三（二甲胺基）硅烷的制備方法，包括如下步驟：在惰性氣氛保護(hù)下，在反應(yīng)器中加入二甲胺和烴類溶劑，然后向體系中加入有機(jī)鋰化合物，制得二甲胺的鋰鹽；向體系中加入三氯硅烷；反應(yīng)結(jié)束后進(jìn)行蒸餾，得到所述三（二甲胺基）硅烷。

其與現(xiàn)有合成方法相比具有以下顯著優(yōu)點(diǎn)：反應(yīng)以簡(jiǎn)單易得的原料，操作簡(jiǎn)單且降低了成本；使用簡(jiǎn)單的烴類作為溶劑大大降低了體系的毒性和污染；大大簡(jiǎn)化后處理操作，減少過(guò)多后處理過(guò)程中的損失；反應(yīng)過(guò)程中的副產(chǎn)物相對(duì)較少，產(chǎn)率較高。