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NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕
  • NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕

NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕

價(jià)格 詢價(jià)
包裝 1臺(tái)
最小起訂量 1臺(tái)
發(fā)貨地 上海
更新日期 2024-12-25

產(chǎn)品詳情

中文名稱:NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕產(chǎn)品類別: 刻蝕系統(tǒng) ICP及DRIE刻蝕系統(tǒng)
2024-12-25 NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕 1臺(tái)/RMB 刻蝕系統(tǒng) ICP及DRIE刻蝕系統(tǒng)

NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕概述:全自動(dòng)上下載片,帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng),帶8" ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵,可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下,系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。


NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕主要特點(diǎn):

  • 基于PC控制的緊湊型立柜式百級(jí)DRIE深硅刻蝕系統(tǒng),擁有高縱橫比的刻蝕能力;

  • 配套Lab View軟件,菜單驅(qū)動(dòng),自動(dòng)記錄數(shù)據(jù);

  • 觸摸屏監(jiān)控;

  • 全自動(dòng)系統(tǒng),帶安全聯(lián)鎖;

  • 四級(jí)權(quán)限,帶密碼保護(hù);

  • 自動(dòng)上下載片;

  • 帶Load Lock預(yù)真空鎖;

  • He氣背面冷卻,-60攝氏度的低溫樣品夾具;

  • 高達(dá)-1000V的外部偏壓;

  • 渦輪分子泵 + 渦旋干泵;

  • 可以支持DRIE和RIE兩種刻蝕模式;

  • 實(shí)時(shí)顯示真空、功率、反射功率圖表,以及流量實(shí)時(shí)顯示;

配置內(nèi)容:

  • 外觀尺寸:緊湊型立柜式設(shè)計(jì),不銹鋼腔體,外觀尺寸為28”(W) x 42”(L) x64”(H);

  • 等離子源:NM ICP平面等離子源,帶淋浴頭氣體分布系統(tǒng)。等離子源安裝在腔體頂部,通過(guò)ISO250的法蘭連接;

  • 處理腔體:13”圓柱形鋁質(zhì)腔體,自動(dòng)上下載片,至大支持6”(可以升級(jí)腔體支持更大基片)。腔體帶有2”的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置,提供8”區(qū)域的氣體均勻分布。系統(tǒng)帶暗區(qū)保護(hù)。

  • 樣品臺(tái):6”的托盤(pán)夾具,能夠支持6”的Wafer??梢岳鋮s到-120攝氏度(包含LN2循環(huán)水冷系統(tǒng)),并采用He氣實(shí)現(xiàn)背部冷卻和自動(dòng)鎖緊,微精細(xì)地控制He氣流量,包含氣動(dòng)截止閥;

  • 流量控制:支持5個(gè)或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蝕,帶氣動(dòng)截止閥,所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動(dòng)閥控制,電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCR和VCO(壓控振蕩器)配件,所有導(dǎo)管以盡可能短的導(dǎo)軌密封設(shè)計(jì),從而減低空間浪費(fèi)并達(dá)到快速的氣路切換。所有處理氣體的管路在處理結(jié)束后,采用N2自動(dòng)沖洗。

  • 真空系統(tǒng):泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵。

  • RF電源:13.56MHz,帶自動(dòng)調(diào)諧功能的1000W射頻電源,作為ICP源。另外,帶自動(dòng)調(diào)諧功能的600W射頻電源用于基臺(tái)偏壓。

  • 操作控制:整個(gè)系統(tǒng)通過(guò)預(yù)裝的Lab View軟件和觸摸監(jiān)控系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)PC全自動(dòng)控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動(dòng)式的,都可PC控制。系統(tǒng)的實(shí)時(shí)壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示,而流量和功率則以字母數(shù)字形式顯示。系統(tǒng)提供密碼和安全連鎖機(jī)制的四級(jí)權(quán)限控制。



關(guān)鍵字: ICP刻蝕機(jī);進(jìn)口深硅刻蝕系統(tǒng);全自動(dòng)DRIE系統(tǒng);進(jìn)口反應(yīng)離子刻蝕機(jī);RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī);全自動(dòng)深反應(yīng)離子刻蝕;

公司簡(jiǎn)介

那諾-馬斯特中國(guó)有限公司成立于2015年4月,是服務(wù)大中華區(qū)(包含中國(guó)大陸,香港,臺(tái)灣和澳門(mén))的客戶,同時(shí)我們?cè)谥袊?guó)大陸設(shè)有專門(mén)的服務(wù)辦公室,提供銷售和售后技術(shù)服務(wù)。 那諾-馬斯特中國(guó)的主要產(chǎn)品包括薄膜沉積設(shè)備、薄膜生長(zhǎng)設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備、兆聲濕法清洗設(shè)備及太空模擬測(cè)試設(shè)備等等。Nano-Master的前身是那諾-馬斯特美國(guó),該公司是法國(guó)那諾-馬斯特有限公司于1992年在美國(guó)所創(chuàng)立的全資子公司,是一家國(guó)際領(lǐng)先的缺陷檢測(cè)和高速鍍層測(cè)量的計(jì)量公司。自從1993年開(kāi)始Birol Kuyel博士全面接管那諾-馬斯特美國(guó)并正式更名。 自2001年Nano-Master開(kāi)始設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)薄膜應(yīng)用方面的設(shè)備,正式面世的系統(tǒng)依次是磁控濺射、PECVD、晶圓/掩模版清洗系統(tǒng)…。應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了半導(dǎo)體、MEMS、光電子學(xué)、納米技術(shù)和光伏等。我們的設(shè)備包含用于二氧化硅、氮化硅、類金剛石和CNT沉積的PECVD,用于InGaN、AlGaN生長(zhǎng)的PA-MOCVD,濺射鍍膜(反應(yīng)濺、共濺 、組合濺),熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā),離子束刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕,原子層沉積,兆聲清洗以及光刻膠剝離等。三十年左右的時(shí)間內(nèi)Nano-Master已經(jīng)發(fā)展成為全球薄膜設(shè)備的供應(yīng)商,已售出的幾百套設(shè)備分布于20多個(gè)不同國(guó)家的大學(xué)、研發(fā)中心和國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。 我們聘用技術(shù)熟練并具有良好教育背景的設(shè)計(jì)和制造工程師、應(yīng)用工程師、服務(wù)
成立日期 2015-04-17 (10年) 注冊(cè)資本 100萬(wàn)人民幣
員工人數(shù) 1-10人 年?duì)I業(yè)額 ¥ 1000萬(wàn)-5000萬(wàn)
主營(yíng)行業(yè) 其他儀器耗材 經(jīng)營(yíng)模式 定制
  • 那諾-馬斯特中國(guó)有限公司
非會(huì)員
  • 公司成立:10年
  • 注冊(cè)資本:100萬(wàn)人民幣
  • 企業(yè)類型:私人股份有限公司
  • 主營(yíng)產(chǎn)品:薄膜沉積設(shè)備、薄膜生長(zhǎng)設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備、兆聲濕法清洗設(shè)備及太空模擬測(cè)試設(shè)備等
  • 公司地址:徐匯區(qū)虹梅南路126弄翡翠別墅23號(hào)
詢盤(pán)

NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕相關(guān)廠家報(bào)價(jià)

產(chǎn)品名稱 價(jià)格   公司名稱 報(bào)價(jià)日期
詢價(jià)
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