NRE-4000（A）全自動(dòng)反應(yīng)離子刻蝕概述：
NRE-4000是一款獨(dú)立式RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持至大到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶Formblin泵油).RF射頻功率通過(guò)600W,13.56MHz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500V.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
該系統(tǒng)是基于PC控制的全自動(dòng)系統(tǒng).系統(tǒng)真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實(shí)時(shí)顯示,流量及功率則以數(shù)字形式實(shí)時(shí)顯示.系統(tǒng)提供密碼保護(hù)的四級(jí)訪(fǎng)問(wèn)功能:操作員級(jí)、工程師級(jí)、工藝人員級(jí),以及維護(hù)人員級(jí).允許半自動(dòng)模式(工程師模式)、寫(xiě)程序模式(工藝模式), 和全自動(dòng)執(zhí)行程序模式(操作模式)運(yùn)行系統(tǒng)?；谌詣?dòng)的控制，該系統(tǒng)具有高度的可重復(fù)性。
NRE-4000（A）全自動(dòng)反應(yīng)離子刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)：
鋁質(zhì)腔體或不銹鋼腔體
不銹鋼立柜
能夠刻蝕硅的化合物(~400? /min)以及金屬
典型的硅刻蝕速率，400 ?/min
高達(dá)12”的陽(yáng)極氧化鋁RF樣品臺(tái)
水冷及加熱的RF樣品臺(tái)
大自偏壓
淋浴頭氣流分布
極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6Torr級(jí)別
渦輪分子泵
至多支持8個(gè)MFC
無(wú)繞曲氣體管路
自動(dòng)下游壓力控制
雙刻蝕能力支持：RIE以及PE刻蝕（可選）
終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
氣動(dòng)升降頂蓋
自動(dòng)上下載片
預(yù)真空鎖
基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪(fǎng)問(wèn)保護(hù)
完全的安全聯(lián)鎖
可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺(tái)，用于深硅刻蝕
Features：
Aluminum or Stainless Steel Chamber
Stainless Steel Cabinet
Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals
Typical Si etch rate, 400 ?/min
Up to 12“ Anodized RF Platen
Water Cooled and Heated RF Platen
Large Self Bias
Shower Head gas distribution
Approximay 10-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressure
Turbomolecular Pump
Up to eight MFCs
No flexing of gas lines
Down Stream Pressure Control
Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）
End Point Detection
Pneumatically Lifted Top
Automatic loading/unloading
Load Lock
PC Controlled with LabVIEW
Recipe Driven, Password Protected
ully Safety Interlocked
Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch
關(guān)鍵字： 反應(yīng)離子刻蝕機(jī);刻蝕機(jī);反應(yīng)離子刻蝕機(jī)價(jià)格;進(jìn)口反應(yīng)離子刻蝕機(jī);RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī);
那諾-馬斯特中國(guó)有限公司成立于2015年4月，是服務(wù)大中華區(qū)(包含中國(guó)大陸，香港，臺(tái)灣和澳門(mén))的客戶(hù)，同時(shí)我們?cè)谥袊?guó)大陸設(shè)有專(zhuān)門(mén)的服務(wù)辦公室，提供銷(xiāo)售和售后技術(shù)服務(wù)。
那諾-馬斯特中國(guó)的主要產(chǎn)品包括薄膜沉積設(shè)備、薄膜生長(zhǎng)設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備、兆聲濕法清洗設(shè)備及太空模擬測(cè)試設(shè)備等等。Nano-Master的前身是那諾-馬斯特美國(guó)，該公司是法國(guó)那諾-馬斯特有限公司于1992年在美國(guó)所創(chuàng)立的全資子公司，是一家國(guó)際領(lǐng)先的缺陷檢測(cè)和高速鍍層測(cè)量的計(jì)量公司。自從1993年開(kāi)始Birol Kuyel博士全面接管那諾-馬斯特美國(guó)并正式更名。
自2001年Nano-Master開(kāi)始設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)薄膜應(yīng)用方面的設(shè)備，正式面世的系統(tǒng)依次是磁控濺射、PECVD、晶圓/掩模版清洗系統(tǒng)…。應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了半導(dǎo)體、MEMS、光電子學(xué)、納米技術(shù)和光伏等。我們的設(shè)備包含用于二氧化硅、氮化硅、類(lèi)金剛石和CNT沉積的PECVD，用于InGaN、AlGaN生長(zhǎng)的PA-MOCVD，濺射鍍膜(反應(yīng)濺、共濺 、組合濺)，熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)，離子束刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕，原子層沉積，兆聲清洗以及光刻膠剝離等。三十年左右的時(shí)間內(nèi)Nano-Master已經(jīng)發(fā)展成為全球薄膜設(shè)備的供應(yīng)商，已售出的幾百套設(shè)備分布于20多個(gè)不同國(guó)家的大學(xué)、研發(fā)中心和國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。
我們聘用技術(shù)熟練并具有良好教育背景的設(shè)計(jì)和制造工程師、應(yīng)用工程師、服務(wù)