窒化ケイ素
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- ¥3900 - ¥289600
- 化學名: 窒化ケイ素
- 英語名: Silicon nitride
- 別名:窒化ケイ素(Si3N4);窒化けい素;窒化けい素(IV)(粉末);窒化けい素、30NM;窒化けい素(IV);窒化けい素(IV), 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase;窒化けい素(IV), alpha-phase, 95%;窒化けい素(IV), Electronic Grade, 99.85% (metals basis), 90+% alpha-phase;窒化けい素(IV), alpha-phase, 99.9% (metals basis)
- CAS番號: 12033-89-5
- 分子式: N4Si3
- 分子量: 140.2833
- EINECS:234-796-8
- MDL Number:MFCD00011230
39物価
選択條件:
ブランド
- 富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 関東化學株式會社(KANTO)
- Sigma-Aldrich Japan
- 純正化學株式會社
パッケージ
- 4g
- 4.5G
- 2x10g
- 10g
- nist659
- nist1900
- 25g
- 1EA
- 50g
- nistrm8983
- 100g
- 250g
- 500g
- 1kg
- nist656
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01ALF042949
- 製品説明窒化けい素(IV), alpha-phase, 95%
- 英語製品説明Silicon(IV) nitride, alpha-phase, 95%
- 包裝単位250g
- 価格¥73000
- 更新しました2024-03-01
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01ALF014704
- 製品説明窒化けい素(IV), alpha-phase, 99.9% (metals basis)
- 英語製品説明Silicon(IV) nitride, alpha-phase, 99.9% (metals basis)
- 包裝単位100g
- 価格¥67600
- 更新しました2024-03-01
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01SRM93-1442
- 製品説明窒化けい素(IV)
- 英語製品説明Silicon(IV) Nitride
- 包裝単位250g
- 価格¥57200
- 更新しました2024-03-01
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01ALF040379
- 製品説明窒化けい素(IV), 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase
- 英語製品説明Silicon(IV) nitride, 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase
- 包裝単位50g
- 価格¥46400
- 更新しました2024-03-01
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01ALF049113
- 製品説明窒化けい素(IV), Electronic Grade, 99.85% (metals basis), 90+% alpha-phase
- 英語製品説明Silicon(IV) nitride, Electronic Grade, 99.85% (metals basis), 90+% alpha-phase
- 包裝単位50g
- 価格¥30000
- 更新しました2024-03-01
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01ALF014704
- 製品説明窒化けい素(IV), alpha-phase, 99.9% (metals basis)
- 英語製品説明Silicon(IV) nitride, alpha-phase, 99.9% (metals basis)
- 包裝単位25g
- 価格¥24000
- 更新しました2024-03-01
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01ALF014704
- 製品説明窒化けい素(IV), alpha-phase, 99.9% (metals basis)
- 英語製品説明Silicon(IV) nitride, alpha-phase, 99.9% (metals basis)
- 包裝単位500g
- 価格¥289600
- 更新しました2024-03-01
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01ALF042949
- 製品説明窒化けい素(IV), alpha-phase, 95%
- 英語製品説明Silicon(IV) nitride, alpha-phase, 95%
- 包裝単位1kg
- 価格¥234500
- 更新しました2024-03-01
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01ALF040379
- 製品説明窒化けい素(IV), 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase
- 英語製品説明Silicon(IV) nitride, 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase
- 包裝単位250g
- 価格¥203300
- 更新しました2024-03-01
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01ALF042949
- 製品説明窒化けい素(IV), alpha-phase, 95%
- 英語製品説明Silicon(IV) nitride, alpha-phase, 95%
- 包裝単位50g
- 価格¥23500
- 更新しました2024-03-01
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01SRM93-1442
- 製品説明窒化けい素(IV)
- 英語製品説明Silicon(IV) Nitride
- 包裝単位50g
- 価格¥19400
- 更新しました2024-03-01
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01ALF040379
- 製品説明窒化けい素(IV), 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase
- 英語製品説明Silicon(IV) nitride, 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase
- 包裝単位10g
- 価格¥12300
- 更新しました2024-03-01
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01ALF049113
- 製品説明窒化けい素(IV), Electronic Grade, 99.85% (metals basis), 90+% alpha-phase
- 英語製品説明Silicon(IV) nitride, Electronic Grade, 99.85% (metals basis), 90+% alpha-phase
- 包裝単位10g
- 価格¥11100
- 更新しました2024-03-01
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01W0235-2104
- 製品説明窒化けい素、30nm 窒素 : 37.2~42.5%
- 英語製品説明Silicon Nitride, 30nm 窒素 : 37.2~42.5%
- 包裝単位25g
- 価格¥10700
- 更新しました2021-03-23
- 購入
- 生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
- 製品番號W01FLCS14700
- 製品説明
- 英語製品説明Silicon IV nitride Powder
- 包裝単位25g
- 価格¥10700
- 更新しました2020-09-21
- 購入
- 生産者関東化學株式會社(KANTO)
- 製品番號49524-50
- 製品説明窒化けい素(IV)(粉末) 98.50%
- 英語製品説明Silicon(IV) nitride, powder 98.50%
- 包裝単位100g
- 価格¥43000
- 更新しました2024-07-01
- 購入
生産者 | 製品番號 | 製品説明 | 包裝単位 | 価格 | 更新時間 | 購入 |
---|---|---|---|---|---|---|
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01ALF042949 | 窒化けい素(IV), alpha-phase, 95% Silicon(IV) nitride, alpha-phase, 95% |
250g | ¥73000 | 2024-03-01 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01ALF014704 | 窒化けい素(IV), alpha-phase, 99.9% (metals basis) Silicon(IV) nitride, alpha-phase, 99.9% (metals basis) |
100g | ¥67600 | 2024-03-01 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01SRM93-1442 | 窒化けい素(IV) Silicon(IV) Nitride |
250g | ¥57200 | 2024-03-01 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01ALF040379 | 窒化けい素(IV), 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase Silicon(IV) nitride, 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase |
50g | ¥46400 | 2024-03-01 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01ALF049113 | 窒化けい素(IV), Electronic Grade, 99.85% (metals basis), 90+% alpha-phase Silicon(IV) nitride, Electronic Grade, 99.85% (metals basis), 90+% alpha-phase |
50g | ¥30000 | 2024-03-01 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01ALF014704 | 窒化けい素(IV), alpha-phase, 99.9% (metals basis) Silicon(IV) nitride, alpha-phase, 99.9% (metals basis) |
25g | ¥24000 | 2024-03-01 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01ALF014704 | 窒化けい素(IV), alpha-phase, 99.9% (metals basis) Silicon(IV) nitride, alpha-phase, 99.9% (metals basis) |
500g | ¥289600 | 2024-03-01 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01ALF042949 | 窒化けい素(IV), alpha-phase, 95% Silicon(IV) nitride, alpha-phase, 95% |
1kg | ¥234500 | 2024-03-01 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01ALF040379 | 窒化けい素(IV), 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase Silicon(IV) nitride, 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase |
250g | ¥203300 | 2024-03-01 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01ALF042949 | 窒化けい素(IV), alpha-phase, 95% Silicon(IV) nitride, alpha-phase, 95% |
50g | ¥23500 | 2024-03-01 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01SRM93-1442 | 窒化けい素(IV) Silicon(IV) Nitride |
50g | ¥19400 | 2024-03-01 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01ALF040379 | 窒化けい素(IV), 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase Silicon(IV) nitride, 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase |
10g | ¥12300 | 2024-03-01 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01ALF049113 | 窒化けい素(IV), Electronic Grade, 99.85% (metals basis), 90+% alpha-phase Silicon(IV) nitride, Electronic Grade, 99.85% (metals basis), 90+% alpha-phase |
10g | ¥11100 | 2024-03-01 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01W0235-2104 | 窒化けい素、30nm 窒素 : 37.2~42.5% Silicon Nitride, 30nm 窒素 : 37.2~42.5% |
25g | ¥10700 | 2021-03-23 | 購入 |
富士フイルム和光純薬株式會社(wako) | W01FLCS14700 | Silicon IV nitride Powder |
25g | ¥10700 | 2020-09-21 | 購入 |
関東化學株式會社(KANTO) | 49524-50 | 窒化けい素(IV)(粉末) 98.50% Silicon(IV) nitride, powder 98.50% |
100g | ¥43000 | 2024-07-01 | 購入 |
プロパティ
融點 :1900 °C
比重(密度) :3.44 g/mL at 25 °C (lit.)
かさ密度 :0.046g/mL
屈折率 :2.8
RTECS 番號 :VW0650000
外見 :powder
色 :Pale gray
比重 :3.44
電気抵抗率 (resistivity) :10*6 (ρ/μΩ.cm)
水溶解度 :Insoluble water.
Crystal Structure :Hexagonal
Hydrolytic Sensitivity :1: no significant reaction with aqueous systems
Merck :14,8497
安定性: :Stable.
CAS データベース :12033-89-5(CAS DataBase Reference)
EPAの化學物質情報 :Silicon nitride (Si3N4) (12033-89-5)
比重(密度) :3.44 g/mL at 25 °C (lit.)
かさ密度 :0.046g/mL
屈折率 :2.8
RTECS 番號 :VW0650000
外見 :powder
色 :Pale gray
比重 :3.44
電気抵抗率 (resistivity) :10*6 (ρ/μΩ.cm)
水溶解度 :Insoluble water.
Crystal Structure :Hexagonal
Hydrolytic Sensitivity :1: no significant reaction with aqueous systems
Merck :14,8497
安定性: :Stable.
CAS データベース :12033-89-5(CAS DataBase Reference)
EPAの化學物質情報 :Silicon nitride (Si3N4) (12033-89-5)
安全情報
絵表示(GHS): |
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注意喚起語: | Warning | |||||||||||||||||||||
危険有害性情報: |
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注意書き: |
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説明
Silicon nitride (molecular formula Si3N4) is a kind of chemical compound comprised of both silicon and nitrogen elements. It appears as a white solid with a high melting point. It is chemically stable upon the presence of dilute HF and hot H2SO4. It has a series of properties such as high strength among a wide temperature range, high fracture toughness, high hardness, outstanding wear resistance and chemical property. It has a strikingly high thermal shock resistance. It has a wide applications in various kinds of fields. In automobile industry, it is an important materials for engine parts. It can also be applied to the manufacturing of bearings due to its high shock resistance. For example, in spacecraft, silicon nitride ceramic is capable of surviving the severe thermal shock generated in the hydrogen/oxygen rocket engines. It can also be used as abrasive and cutting tools due to its harness and resistance to wear. In electronics, it can be used as an insulator and chemical barrier during the production of integrated circuits. There are several method for the manufacturing the silicon nitride. 1. The powdered silicon is subject to a heating reaction of 1300-1400 °C in the atmosphere of nitrogen. 2 Diimide route which involves the reaction of SiCl and NH3. 3 Silicon dioxide is subject to carbothemral reduction at 1300-1400 °C under the presence of nitrogen.関連商品価格
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