チタンテトラキス(ジエチルアミド)

￥15600 - ￥258500
化學(xué)名: チタンテトラキス(ジエチルアミド)
英語名: TETRAKIS(DIETHYLAMINO)TITANIUM
別名:テトラキス(ジエチルアミノ)チタン;チタンテトラキス(ジエチルアミド);ジエチル[トリス(ジエチルアミノ)チタニオ]アミン;テトラキス(ジエチルアミノ)チタン(IV);テトラ(ジエチルアミノ)チタン(IV)
CAS番號: 4419-47-0
分子式: C16H40N4Ti
分子量: 336.38
EINECS:
MDL Number:MFCD00015648

価格7 プロパティ安全情報説明

7物価

選択條件：

ブランド

富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
Sigma-Aldrich Japan

パッケージ

生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
製品番號W01ALF040469
製品説明テトラキス(ジエチルアミノ)チタン
英語製品説明Tetrakis(diethylamino)titanium, 99.99% (metals basis)
包裝単位50g
価格￥258500
更新しました2024-03-01
購入

生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
製品番號W01ALF040469
製品説明テトラキス(ジエチルアミノ)チタン
英語製品説明Tetrakis(diethylamino)titanium, 99.99% (metals basis)
包裝単位10g
価格￥67000
更新しました2024-03-01
購入

生産者富士フイルム和光純薬株式會社(wako)
製品番號W01ALF040469
製品説明テトラキス(ジエチルアミノ)チタン
英語製品説明Tetrakis(diethylamino)titanium, 99.99% (metals basis)
包裝単位2g
価格￥15600
更新しました2018-12-26
購入

生産者Sigma-Aldrich Japan
製品番號407399
製品説明 technical grade
英語製品説明Tetrakis(diethylamido)titanium(IV) technical grade
包裝単位5G
価格￥28400
更新しました2023-06-01
購入

生産者Sigma-Aldrich Japan
製品番號469866
製品説明 99.999% trace metals basis
英語製品説明Tetrakis(diethylamido)titanium(IV) 99.999% trace metals basis
包裝単位5g
価格￥44900
更新しました2021-03-23
購入

生産者Sigma-Aldrich Japan
製品番號469866
製品説明 99.999% trace metals basis
英語製品説明Tetrakis(diethylamido)titanium(IV) 99.999% trace metals basis
包裝単位25g
価格￥89900
更新しました2021-03-23
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生産者Sigma-Aldrich Japan
製品番號725536
製品説明 packaged for use in deposition systems
英語製品説明Tetrakis(diethylamido)titanium(IV) packaged for use in deposition systems
包裝単位10g
価格￥193000
更新しました2023-06-01
購入

生産者	製品番號	製品説明	包裝単位	価格	更新時間	購入
富士フイルム和光純薬株式會社(wako)	W01ALF040469	テトラキス(ジエチルアミノ)チタン Tetrakis(diethylamino)titanium, 99.99% (metals basis)	50g	￥258500	2024-03-01	購入
富士フイルム和光純薬株式會社(wako)	W01ALF040469	テトラキス(ジエチルアミノ)チタン Tetrakis(diethylamino)titanium, 99.99% (metals basis)	10g	￥67000	2024-03-01	購入
富士フイルム和光純薬株式會社(wako)	W01ALF040469	テトラキス(ジエチルアミノ)チタン Tetrakis(diethylamino)titanium, 99.99% (metals basis)	2g	￥15600	2018-12-26	購入
Sigma-Aldrich Japan	407399	technical grade Tetrakis(diethylamido)titanium(IV) technical grade	5G	￥28400	2023-06-01	購入
Sigma-Aldrich Japan	469866	99.999% trace metals basis Tetrakis(diethylamido)titanium(IV) 99.999% trace metals basis	5g	￥44900	2021-03-23	購入
Sigma-Aldrich Japan	469866	99.999% trace metals basis Tetrakis(diethylamido)titanium(IV) 99.999% trace metals basis	25g	￥89900	2021-03-23	購入
Sigma-Aldrich Japan	725536	packaged for use in deposition systems Tetrakis(diethylamido)titanium(IV) packaged for use in deposition systems	10g	￥193000	2023-06-01	購入

プロパティ

融點 :4 °C
沸點 :112 °C0.1 mm Hg(lit.)
比重(密度) :0.931 g/mL at 25 °C(lit.)
屈折率 :n20/D 1.536(lit.)
閃點 :-18 °F
貯蔵溫度 :Store at +2°C to +8°C.
溶解性 :Reacts with air.
外見 :liquid
色 :yellow to orange
比重 :0.95
Hydrolytic Sensitivity :8: reacts rapidly with moisture, water, protic solvents
Sensitive :Moisture Sensitive
BRN :3621431
CAS データベース :4419-47-0(CAS DataBase Reference)
NISTの化學(xué)物質(zhì)情報 :Tetrakis(diethylamino)titanium(4419-47-0)
EPAの化學(xué)物質(zhì)情報 :Ethanamine, N-ethyl-, titanium(4+) salt (4419-47-0)

安全情報

絵表示(GHS):

注意喚起語:

Danger

危険有害性情報:

コード	危険有害性情報	危険有害性クラス	區(qū)分	注意喚起語	P コード
H225	引火性の高い液體および蒸気	引火性液體	2	危険	P210,P233, P240, P241, P242, P243,P280, P303+ P361+P353, P370+P378,P403+P235, P501
H260	水に觸れると自然発火するおそれのある可燃性 /引火性ガスを発生	水反応可燃性化學(xué)品	1	危険	P223, P231+P232, P280, P335+ P334,P370+P378, P402+P404, P501
H314	重篤な皮膚の薬傷?眼の損傷	皮膚腐食性/刺激性	1A, B, C	危険	P260,P264, P280, P301+P330+ P331,P303+P361+P353, P363, P304+P340,P310, P321, P305+ P351+P338, P405,P501

注意書き:

P210	熱/火花/裸火/高溫のもののような著火源から遠(yuǎn)ざけること。－禁煙。
P223	激しい反応と火災(zāi)の発生の危険があるため、水と接觸させないこと。
P231+P232	濕気を遮斷し、不活性ガス下で取り扱うこと。
P280	保護(hù)手袋/保護(hù)衣/保護(hù)眼鏡/保護(hù)面を著用すること。
P370+P378	火災(zāi)の場合：消火に．．．を使用すること。
P422	內(nèi)容物を．．．中で保管すること。

説明

Used as nitride precursor - MOCVD. Precursor to Titanium nitride (TiN) thin films, chemical vapor deposition (CVD). A novel templated non-hydrolytic sol-gel synthesis of titanosilicate xerogels is reported. Acetamide elimination from silicon acetate and titanium diethylamide allows obtaining titanosilicates with a high content of Si-O-Ti bonds but low surface areas. Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) of TiN thin films at low temperatures and low pressures using tetrakis(diethylamino) Ti (TDEAT) and NH3 is described. TDEAT dissociatively chemisorbs on SiO2 at room temperature or above, resulting in Ti?N bond scission, and Ti?O bond formation.

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