24304-00-5
24304-00-5 結(jié)構(gòu)式
基本信息
氮化鋁,N32.0%MIN
氮化鋁電子管(兩端開口的),OD (MM),22,ID (MM),12
氮化鋁代替# 43789坩堝,5MM厚
氮化鋁坩堝,圓柱狀的、扁平的:高度X柱高X直徑,25 X 20 X 15
氮化鋁坩堝,圓柱狀的、扁平的:高度X柱高X直徑, 37 X 33.5 X 28.7: 容積(ML), 20
棒狀、圓形氮化鋁:直徑(MM), 10
棒狀、圓形氮化鋁:直徑(MM), 16
棒狀、圓形氮化鋁:直徑(MM), 22
氮化鋁熱電偶保護電子管(一端閉合的):OD (MM), 10:ID (MM), 7
氮化鋁熱電偶保護電子管(一端閉合的):OD (MM), 16:ID (MM), 9
氮化鋁電子管(兩端開口的):OD (MM), 10:ID (MM), 7
氮化鋁電子管(兩端開口的):OD (MM), 16:ID (MM), 9
棒狀, 圓形氮化鋁: DIAMETER (MM), 10
棒狀, 圓形氮化鋁: DIAMETER (MM), 22
氮化鋁坩堝, 圓柱狀的,扁平的:HEIGHT X OD X ID (MM), 37
氮化鋁, 98+%
ALN AT
ALN B
ALN C
ALUMINIUM NITRIDE
ALUMINUM NITRIDE
AlN
Aluminum nitride (AlN)
Aluminumnitride(AlN)
ALUMINUM NITRIDE, NANOPOWDER
ALUMINUM NITRIDE, POWDER, <10 MICRON, 98 +%
Aluminumnitride,N32.0%min
ALUMINUM NITRIDE POWDERS
Aluminium nitride, particle size <10 micron, 98%
Aluminumnitride,agglomeratedpowder
Aluminumnitride,agglomeratedpowder,highpurity
Aluminumnitride,deglomeratedpowder,highpurity
ALN B ALUMINIUM NITRIDE GRADE B - A PRODUCT OF H.C. STARCK
ALN AT ALUMINIUM NITRIDE GRADE AT - A PRODUCT OF H.C. STARCK
ALN C ALUMINIUM NITRIDE GRADE C - A PRODUCT OF H.C. STARCK
物理化學性質(zhì)
安全數(shù)據(jù)
應(yīng)用領(lǐng)域
常見問題列表
氮化鋁（AlN）最高可穩(wěn)定到2200℃。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好，熱膨脹系數(shù)小，是良好的耐熱沖擊材料?？谷廴诮饘偾治g的能力強，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好，用作電器元件也很有希望。砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護它在退火時免受離子的注入。氮化鋁還是由六方氮化硼轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎Ｊ覝叵屡c水緩慢反應(yīng).可由鋁粉在氨或氮氣氛中800~1000℃合成，產(chǎn)物為白色到灰藍色粉末?；蛴葾l2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應(yīng)合成，產(chǎn)物為灰白色粉末?；蚵然X與氨經(jīng)氣相反應(yīng)制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過氣相沉積法合成。AlN+3H2O==催化劑===Al（OH）3↓+NH3↑
(2) 熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
(3) 各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強度)優(yōu)良；
(4) 機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結(jié)；
(5) 純度高；
(6) 光傳輸特性好；
(7) 無毒；
(8) 可采用流延工藝制作。是一種很有前途的高功率集成電路基片和包裝材料。
由于氮化鋁壓電效應(yīng)的特性，氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學波的探測器。而探測器則會放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細的薄膜。
利用氮化鋁陶瓷具有較高的室溫和高溫強度，膨脹系數(shù)小，導熱性好的特性，可以用作高溫結(jié)構(gòu)件熱交換器材料等。
利用氮化鋁陶瓷能耐鐵、鋁等金屬和合金的溶蝕性能，可用作Al、Cu、Ag、Pb等金屬熔煉的坩堝和澆鑄模具材料。
氮化鋁粉體的制備工藝主要有直接氮化法和碳熱還原法，此外還有自蔓延合成法、高能球磨法、原位自反應(yīng)合成法、等離子化學合成法及化學氣相沉淀法等。
1、直接氮化法
直接氮化法就是在高溫的氮氣氣氛中，鋁粉直接與氮氣化合生成氮化鋁粉體，其化學反應(yīng)式為2Al(s)+N2(g)→2AlN(s)，反應(yīng)溫度在800℃-1200℃。
其優(yōu)點是工藝簡單，成本較低，適合工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)。其缺點是鋁粉表面有氮化物產(chǎn)生，導致氮氣不能滲透，轉(zhuǎn)化率低；反應(yīng)速度快，反應(yīng)過程難以控制；反應(yīng)釋放出的熱量會導致粉體產(chǎn)生自燒結(jié)而形成團聚，從而使得粉體顆粒粗化，后期需要球磨粉碎，會摻入雜質(zhì)。
2、碳熱還原法
碳熱還原法就是將混合均勻的Al2O3和C在N2氣氛中加熱，首先Al2O3被還原，所得產(chǎn)物Al再與N2反應(yīng)生成AlN，其化學反應(yīng)式為：
Al2O3(s)+3C(s)+N2(g)→2AlN(s)+3CO(g)
其優(yōu)點是原料豐富，工藝簡單；粉體純度高，粒徑小且分布均勻。其缺點是合成時間長，氮化溫度較高，反應(yīng)后還需對過量的碳進行除碳處理，導致生產(chǎn)成本較高。
3、高能球磨法
高能球磨法是指在氮氣或氨氣氣氛下，利用球磨機的轉(zhuǎn)動或振動，使硬質(zhì)球?qū)ρ趸X或鋁粉等原料進行強烈的撞擊、研磨和攪拌，從而直接氮化生成氮化鋁粉體的方法。
其優(yōu)點是：高能球磨法具有設(shè)備簡單、工藝流程短、生產(chǎn)效率高等優(yōu)點。其缺點是：氮化難以完全，且在球磨過程中容易引入雜質(zhì)，導致粉體的質(zhì)量較低。
4、高溫自蔓延合成法
高溫自蔓延合成法是直接氮化法的衍生方法，它是將Al粉在高壓氮氣中點燃后，利用Al和N2反應(yīng)產(chǎn)生的熱量使反應(yīng)自動維持，直到反應(yīng)完全，其化學反應(yīng)式為：
2Al(s)+N2(g)→2AlN(s)
其優(yōu)點是高溫自蔓延合成法的本質(zhì)與鋁粉直接氮化法相同，但該法不需要在高溫下對Al粉進行氮化，只需在開始時將其點燃，故能耗低、生產(chǎn)效率高、成本低。其缺點是要獲得氮化完全的粉體，必需在較高的氮氣壓力下進行，直接影響了該法的工業(yè)化生產(chǎn)。
5、原位自反應(yīng)合成法
原位自反應(yīng)合成法的原理與直接氮化法的原理基本類同，以鋁及其它金屬形成的合金為原料，合金中其它金屬先在高溫下熔出，與氮氣發(fā)生反應(yīng)生成金屬氮化物，繼而金屬Al取代氮化物的金屬，生產(chǎn)AlN。
其優(yōu)點是工藝簡單、原料豐富、反應(yīng)溫度低，合成粉體的氧雜質(zhì)含量低。其缺點是金屬雜質(zhì)難以分離，導致其絕緣性能較低。
6、等離子化學合成法
等離子化學合成法是使用直流電弧等離子發(fā)生器或高頻等離子發(fā)生器，將Al粉輸送到等離子火焰區(qū)內(nèi)，在火焰高溫區(qū)內(nèi)，粉末立即融化揮發(fā)，與氮離子迅速化合而成為AlN粉體。
其優(yōu)點是團聚少、粒徑小。其缺點是該方法為非定態(tài)反應(yīng)，只能小批量處理，難于實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)，且其氧含量高、所需設(shè)備復(fù)雜和反應(yīng)不完全。
7、化學氣相沉淀法
它是在遠高于理論反應(yīng)溫度，使反應(yīng)產(chǎn)物蒸氣形成很高的過飽和蒸氣壓，導致其自動凝聚成晶核，而后聚集成顆粒。