描述
氧化鎵(III)是一種無機(jī)化合物，分子式為Ga2O3。
它以幾種形態(tài)存在，都是白色的不溶于水的固體。
雖然沒有商業(yè)應(yīng)用，Ga2O3是鎵純化的中間體，鎵幾乎完全作為砷化鎵消耗。
Ga2O3是鎵的固體氧化物，是半導(dǎo)體器件的重要功能材料。
α，β，δ，γ和ε五種不同的修飾。β-Ga2O3是高溫下最穩(wěn)定的晶體相，其導(dǎo)熱系數(shù)比GaN和SiC等寬禁帶半導(dǎo)體至少低一個(gè)量級(jí)。
化學(xué)公式:Ga2O3
摩爾質(zhì)量:187.444克/摩爾
外觀:白色結(jié)晶性粉末
密度:6.44克/立方厘米
熔點(diǎn):1.900°C(3.450°F;2.170 K)
在水中的溶解性:不溶于水
溶解性:可溶于大多數(shù)酸
應(yīng)用
1. 廣泛應(yīng)用于鎵半導(dǎo)體絕緣層、太陽(yáng)能電池、紫外線濾光片、薄膜中的特殊效果材料等。
2. 用于氣體傳感器和發(fā)光熒光粉。
3.可用于太陽(yáng)能電池的介質(zhì)涂層。
4. 作為一種新型的薄膜電致發(fā)光(TFEL)材料。
5. 鎵基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線過濾器。
6. 它也可以用作化學(xué)探針O2。LED發(fā)光材料、電子元件、化學(xué)試劑。
規(guī)格
| Impurities (ppm) |
|---|
| Fe2O3 | 5 |
| Al2O3 | 6 |
| CaO | 9 |
| In2O3 | 3 |
| NiO | 2 |