碲化鎘（CdTe）
　　核心技術(shù)：1，THM（移動(dòng)式加熱），此工藝適用于CSS（近空間升華技術(shù)）制備碲化鎘薄膜。
　　2，CVD（氣相合成工藝），此工藝適用于印刷，噴涂，濺射等工藝制備碲化鎘薄膜。
　　碲化鎘（CdTe）
　　1，物理性質(zhì)：
　　分子量：240.01
　　禁帶寬度：1.44 eV
　　折射率：2.57
　　密度：5.85 g/cm3
　　熔點(diǎn)：1092℃
　　沸點(diǎn)：1130℃
　　2，規(guī)格：
　　碲化鎘：CdTe-05純度99.999%以上，銀，鋁，砷，鉍，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，硒，硅，鋅雜質(zhì)總含量小于10ppm；
　　碲化鎘：CdTe-06純度99.9999%以上，銀，鋁，砷，鉍，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，硒，硅雜質(zhì)總含量小于1ppm.
　　3，物理性狀：黑色塊或粉末。
　　4，用途：
　　用于制作紅外調(diào)制器，HgxCd1-xTe襯底，紅外窗場(chǎng)致發(fā)光器件，光電池，紅外探測(cè)，X射線探測(cè)，核放射性探測(cè)器，太陽(yáng)能電池，接近可見(jiàn)光區(qū)的發(fā)光器件。
　　5，包裝：滌綸薄膜包裝后塑料薄膜真空封裝或聚乙烯瓶封裝。