鎳蝕刻劑 TFB 用于蒸發(fā)鎳薄膜上的標準鎳蝕刻劑
鎳蝕刻劑 TFG 用于蝕刻電沉積鎳薄膜的高純蝕刻劑。鎳蝕刻劑 TFG 與銅、砷化鎵以及其他III
-V化合物相匹配。 用于蝕刻鎳、鎳-鐵合金和不銹鋼的高純蝕刻劑
特點 ·廉價經(jīng)濟
·與陽性、陰性光刻膠都相匹配 ·線條輪廓清晰 ·蝕刻速率均勻
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鎳蝕刻劑I型
說明
Transene 薄膜蝕刻劑(鎳 TFB 和鎳 TFG)是高純硝酸鹽基蝕刻劑用于蝕刻蒸發(fā)或
電鍍鎳膜,鎳蝕刻劑與陰、陽性光刻膠材料都具有良好匹配性。建議使用的光刻膠為 AZ-111,AZ-1350OH 和 KMER。鎳蝕劑用于蝕刻金、鎳、鎳鉻膜以制作電阻板。鎳蝕刻 劑 TFG 與銅相匹配。
性質(zhì)
蝕刻劑
TFB
TFG
操作溫度
25°C
40°C
蝕刻速率
30 A? /秒
50 A? /秒
鎳沉積法
蒸發(fā)/陰極濺鍍
化學鍍/電鍍
蝕刻能力
270g/加侖
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典型膜厚
1500 A? /5-50微英寸
罐
玻璃
應用 鎳蝕刻劑是浸泡型購來馬上可用的蝕刻劑,蝕刻速率通過操作溫度加以控制。鎳
通常在氧化鋁基板上夾于金和鎳鉻或鉻之間,對蒸發(fā)法或化學鍍制的鎳都適用。實際 蝕刻時要根據(jù)膜厚和操作溫度控制蝕刻時間,不過對于蒸發(fā)法鎳一般是 1 分鐘,而對 于化學鍍鎳是 4 分鐘。蝕刻過后應用水沖洗
說明 I型鎳蝕刻劑是用于蝕刻鎳、鎳-鐵合金、鐵、氧化鐵以及某些種不銹鋼的高純
蝕刻劑,他也可以蝕刻銅。和廣范圍光刻膠包括 KPR、Dynachem、AZ、 Riston 以及 屏幕光刻膠,都相匹配。I型鎳蝕刻劑含有金屬螯合劑成份以優(yōu)化其性能。它不浸蝕 金膜。 性質(zhì)
30-60°C
沖洗
水
蝕刻速率,Ni
3 密耳/小時,40°C
蝕刻速率,Ni-Fe
400 A? /秒,50°C
蝕刻速率,不銹鋼
45 A? /秒,250°C AISI 316 105 A? /秒,130°C AISI 316 500 A? /秒,45°C AISI 304
蝕刻速率,F(xiàn)e2O3
50 A? /秒,50°C
蝕刻速率,Cu
1 密耳/分,40°C
攪拌
連續(xù)攪拌,中等速度
應用 I型鎳蝕刻劑在較高溫度,一般是 30-60°C操作。為了得到均勻蝕刻效果,一般
要進行連續(xù)攪拌。I型鎳蝕刻劑可以蝕刻一系列金屬,金屬合金,和金屬氧化物材料。
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