應(yīng)用
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,可用于各種電子器件的開發(fā),如發(fā)光二極管(LED)和場效應(yīng)晶體管(FET)。它還可用作基于自旋電子學(xué)應(yīng)用的過渡金屬摻雜劑。
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