OFET設(shè)備性能
Bottom gate top contact device with silane modified SiO2 dielectric.Processing method spin coating; thermal annealing at 140 °C/ 10 minSemiconductor Type: Mobility: 0.60?cm2/V·sOn/Off Ratio: 10^6 - 10^7
一般描述
PDPP2T-TT-OD是基于噻吩的導(dǎo)電聚合物,其中二酮吡咯并吡咯(DPP)為電子缺陷基團(tuán),辛基十二烷基為側(cè)基。其結(jié)構(gòu)含有一個(gè)DPP-噻吩和一個(gè)可變的聯(lián)噻吩(2T)。它具有高電荷攜帶能力,使其可用于開發(fā)基于有機(jī)電子的設(shè)備。
應(yīng)用
PDPP2T-TT-OD可以用作 π-共軛聚合物,可用于制造各種器件,例如有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)、光伏電池、聚合物太陽能電池和場效應(yīng)晶體管(FET)。 Xerox在含有100-300 nm天然SiO2介電質(zhì)的n-摻雜硅晶片上展示出器件 該介質(zhì)被十八烷基三氯硅烷自組裝單層改性。XSC4p膜通過旋涂(1000 rpm,60秒)0.5–0.7 wt.%的聚合物溶液進(jìn)行沉積。將薄膜在真空烘箱中于80°C干燥10分鐘, 然后在140°C加熱退火10分鐘。使用蔭罩(90微米通道)通過真空蒸發(fā)對(duì)金源漏極進(jìn)行沉積。 使用Keithley SCS-4200系統(tǒng)對(duì)電氣性能進(jìn)行了表征。所報(bào)告的遷移率是四個(gè)設(shè)備ε的平均飽和遷移率± 標(biāo)準(zhǔn)差
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