產(chǎn)品應(yīng)用制備硅化釩薄膜,用大束流密度的釩金屬離子注入硅,能夠直接合成性能良好的薄層硅化物。隨束流密度的增加,硅化釩相生長,薄層硅化物的方塊電阻RS 明顯下降,當(dāng)束流密度為25μA/cm2 時,Rs 達(dá)到最小值22Ψ,說明連續(xù)的硅化物已經(jīng)形成。X 衍射分析表明,注入層中形成了V3Si 、V5Si3 、V3Si5 和VSi2 四種硅化釩。經(jīng)過退火后,Rs 明顯地下降,Rs 最小可降到9Ψ,電阻率可小到72μΨm ,說明硅化釩薄層質(zhì)量得到了進(jìn)一步的改善,大束流密度注入和退火后,硅化釩相進(jìn)一步生長。大束流密度注入和高溫退火(1200 ℃)仍然具有很低的薄層電阻率,這充分說明硅化釩具很好的熱穩(wěn)定性。透射電子微鏡觀察表明,連續(xù)硅化釩薄層厚度為80nm。
包裝儲存本品為充惰氣塑料袋包裝,密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜暴露空氣中,防受潮發(fā)生氧化團(tuán)聚,影響分散性能和使用效果;包裝數(shù)量可以根據(jù)客戶要求提供,分裝。
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