BUFFERED OXIDE ETCHANTS (BOE)10:1 15:1 100:1

價格	詢價
包裝	1加侖

最小起訂量	1加侖
發(fā)貨地	山東
更新日期	2022-05-06

QQ交談

產品詳情

中文名稱:BUFFERED OXIDE ETCHANTS (BOE)10:1 15:1 100:1	英文名稱:BUFFERED OXIDE ETCHANTS (BOE)
保存條件: 常溫避光通風保存	產品類別: 蝕刻劑

加HF改進的緩沖劑

（氟化物―二氟化物－氫氟酸緩沖劑）

本品為加有HF且HF活度穩(wěn)定的性能改進的緩沖劑，用于平面鈍化、制作晶體管、集成電路、二極管、檢波器、SCR、MOS、FET的半導體技術中選擇溶解SiO₂。

獨特的優(yōu)點

·經濟便宜，使用方便

·HF活度穩(wěn)定

·良好的工藝重復性

·不會出現邊下蝕被掩蔽的氧化物

·不擴散硅表面著色

·硅表面不污染

·光刻膠涂層不受影響

說明

緩沖劑－HF是一個理想的緩沖劑配方，其特點是緩沖指數高和蝕刻速率均勻合適。緩沖劑－HF的組成可通過HF活度和PH的測量得到精密控制。質量平衡對應于兩配體單核絡合物的HF+(F)+2(HF₂)，而變化平衡是(H⁺)-(F)+(HF₂^-)。HF的活度通過其特定平衡常數保持恒定不變，這便決定了氟化物、二氟化物和HF諸組分間的平衡反應。而第二平衡常數參與氫離子濃度的濃度調節(jié)。

緩沖劑－HF制備并經分析確定已基本完全去除了任何雜質。硝酸根離子是引起擴散硅表面著色的最常見的雜質，在這種緩沖劑中已特別加以排除。能引起裝置質量降低的重金屬雜質在生產過程中得到了嚴格控制。

緩沖劑-HF的性質

外觀	澄清液體
硝酸鹽	無
比重	1.12
緩沖蝕刻能力	65mg，SiO₂/ml
PH	5.0
蝕刻速率，20℃	800 ? /分
游離HF	10⁵M
貯存	室溫保存，在10℃以下會結晶析出
主要離子	HF₂配體
重金屬	0.5ppm

*蝕刻速率根據氧化硅膜結構而改變

緩沖劑－HF的使用

緩沖劑－HF能深解在硅表面上制出的并在光印刷術中暴光的二氧化硅膜（熱生長和硅烷SiO₂）。它還能溶解半導體加工過程形成的磷二氧化硅和硼二氧化硅玻璃中的摻雜二氧化硅膜，總化學反應式為：4HF+SiO₂ → SiF₄+2H₂O 建議在制作半導體平面和臺面型二極管裝置的新技術中使用緩沖劑－HF，操作安全無誤，它與陰，陽性光刻膠都相匹配。易于得到重現性良好的結果，不會出現邊下蝕被掩蔽的氧化物、表面著色和重金屬造成質量降級等現象。

指導意見

大多數實際氧化物鈍化層厚度范圍是2000 ?到5000 ?，將其在室溫下于緩沖劑－HF液中浸泡2-5分鐘都會得到良好的結果，必要時接觸時間可適當增減。操作完畢，應當用去離子水將緩沖劑-HF沖洗掉。緩沖劑-HF的緩沖指數高，因此在固定接觸時間條件下反復使用。為了增快蝕刻速率（約2X），可以在35℃的溫度使用緩沖劑-HF。

二氧化硅厚度與反射顏色的關系

顏色		厚度	? X 10³
灰色、黃褐色、褐色	0.1	0.3	0.5	--	--
藍色	0.8	1.5	3.0	4.9	6.9
紫色	1.0	2.7	4.7	6.5	--
綠色	1.9	3.3	5.2	7.2	--
黃色	2.1	3.7	5.6	7.5	--
橙色	2.2	4.0	6.0	--	--
紅色	2.5	4.4	6.3	--	--

關鍵字：二氧化硅蝕刻劑蝕刻液 BOE;

公司簡介

美國Transene蝕刻劑（蝕刻液，腐蝕液）中國供應商。金蝕刻劑8148，TFA；鉭蝕刻劑SIE—8607；鋁蝕刻劑，A型；銀蝕刻劑TFS；鈀蝕刻劑TFP；鉻蝕刻劑1020；加HF改進的緩沖劑；BOE； Transene 超聲洗滌劑TUD；鎳蝕刻劑TFB；氮化鉭蝕刻劑；鈦蝕刻劑TFT；銅蝕刻劑；鎳鉻蝕刻劑TFC和TFN；TFM鉬蝕刻和TFW鎢蝕刻劑；半導體蝕刻劑；氧化錫/銦錫蝕刻劑TE100；

成立日期	2016-09-21 （9年）	注冊資本	100.000000萬
員工人數	10-50人	年營業(yè)額	￥ 100萬以內
主營行業(yè)	化學試劑,醫(yī)藥中間體,合成材料中間體,其他中間體,液晶中間體	經營模式	貿易,工廠,試劑,定制,服務

煙臺科瑞爾化學科技有限公司

非會員

公司成立：9年
注冊資本：100.000000萬
企業(yè)類型：有限責任公司
主營產品：吩嗪酰胺類等
公司地址：山東省煙臺市芝罘區(qū)海港路29號1506室

進入店鋪

詢盤

店內推薦

加HF改進的緩沖劑

詢價

鈦蝕刻劑TFT，TFTN

詢價

半導體蝕刻劑

詢價