碲化鎵性質(zhì)熔點824°C密度5.440形態(tài)monocliniccrystals水溶解性Insolubleinwater.敏感性MoistureSensitiveEPA化學物質(zhì)信息Galliumtelluride(GaTe)(12024-14-5)碲化鎵用途與合成方法簡介碲化鎵（GaTe）中陽離子空位對晶體管性能的影響機制，并且通過抑制這種作用，獲得了一種高性能的光電晶體管器件。GaTe是一個重要的III-VI族半導體層狀化合物材料，直接帶隙約1.7eV，在光電子器件、輻射探測器及太陽能電池領(lǐng)域極具應用研究價值。然而由于其復雜的單斜晶體結(jié)構(gòu)及晶體的高度各向異性，使其在樣品制備及器件加工方面存在一定的困難，目前少有關(guān)于GaTe納米片的光電性能研究。制備一種二維碲化鎵材料的制備方法，其特點是采用以下步驟：步驟一、采用垂直布里奇曼晶體生長法，將Ga:Te按物質(zhì)的量比1:1進行配料，制備GaTe單晶體。步驟二、在Ar氣氛下的米開羅那Universal2440-750手套箱內(nèi)，選取大塊表面光滑無褶皺的GaTe體材料，并沿自然解理面將其分離為多塊。步驟三、在Ar氣氛下的米開羅那Universal2440-750手套箱內(nèi)，使用思高膠帶從表層光亮、損傷較小的GaTe塊體材料表面撕離一塊厚度約為6-8μm的GaTe薄片。步驟四、在Ar氣氛下的米開羅那Universal2440-750手套箱內(nèi)，將帶有GaTe薄片的思高膠帶多次粘合分離，直至膠帶表面不再光亮，成功附著較為密集的數(shù)百納米厚度的GaTe片層。