25617-98-5
中文名稱
氮化銦
英文名稱
INDIUM NITRIDE
CAS
25617-98-5
分子式
InN
分子量
128.82
MOL 文件
25617-98-5.mol
更新日期
2023/09/18 07:26:26
25617-98-5 結(jié)構(gòu)式
基本信息
中文別名
氮化銦一氮化銦
氮化銦(III)
氮化銦,99.8%(METALSBASIS)
英文別名
INDIUM NITRIDENitriloindium(III)
Indium mononitride
indiumnitride(inn)
INDIUM(III) NITRIDE
azanylidyneindigane
IndiuM nitride (III)
INDIUM(III) NITRIDE, 99.9%
INDIUM NITRIDE ISO 9001：2015 REACH
Indium nitride, 99.8% (metals basis)
所屬類別
無機(jī)化工：氮化物物理化學(xué)性質(zhì)
熔點(diǎn)~1900°
密度6,88 g/cm3
折射率2.92
形態(tài)六方晶體
顏色brown hexagonal, hexane crystals, crystalline
晶體結(jié)構(gòu)Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc
EPA化學(xué)物質(zhì)信息Indium nitride (InN) (25617-98-5)
常見問題列表
應(yīng)用
氮化銦(InN)發(fā)展成為新型的半導(dǎo)體功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料中，氮化銦具有良好的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)電學(xué)傳輸特性，它有最大的電子遷移率、最大的峰值速率、最大的飽和電子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的帶隙、最小的電子有效質(zhì)量等優(yōu)異的性質(zhì)，這些使得氮化銦相對(duì)于氮化鋁(AlN)和氮化鎵(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更適合用于制備高頻器件，在高頻率、高速率晶體管的應(yīng)用開發(fā)方面具有非常獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，尤其在在制備太赫茲器件，化學(xué)傳感器、半導(dǎo)體發(fā)光二極管、全光譜太陽(yáng)能電池等光電器件領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用價(jià)值。制備
步驟S1、提供一襯底，在所述襯底上沉積一層介電薄膜；
步驟S2、對(duì)所述介電薄膜進(jìn)行圖案化，得到均勻排列的多個(gè)介電凸臺(tái)；
步驟S3、提供一反應(yīng)室，將所述形成有介電凸臺(tái)的襯底放入反應(yīng)室中并將所述反應(yīng)室抽真空；
步驟S4、在所述介電凸臺(tái)及襯底上生長(zhǎng)緩沖層，在介電凸臺(tái)的阻擋下，所述緩沖層的橫向生長(zhǎng)與縱向生長(zhǎng)產(chǎn)生差異，使得所述緩沖層在每一個(gè)介電凸臺(tái)的上方對(duì)應(yīng)形成一個(gè)凹槽；
步驟S5、在所述緩沖層上生長(zhǎng)氮化銦，得到分別位于所述多個(gè)凹槽中的多個(gè)氮化銦柱，每一個(gè)凹槽中對(duì)應(yīng)形成一個(gè)氮化銦柱。