13709-61-0
中文名稱
二氟化氙
英文名稱
XENON DIFLUORIDE
CAS
13709-61-0
分子式
F2Xe
分子量
169.29
MOL 文件
13709-61-0.mol
更新日期
2024/12/16 08:55:59
13709-61-0 結構式
基本信息
中文別名
二氟化氙 英文別名
XeF4Difluoroxenon
Tetrafluoroxenon
XENON DIFLUORIDE
XENON(II)FLUORIDE
xenon tetrafluoride
Tetrafluoroxenon(IV)
Xenon fluoride (XeF4)
Xenon(IV) tetrafluoride
Xenon fluoride (XeF4), (T-4)-
所屬類別
有機原料：有機氟化合物物理化學性質
熔點129 °C(lit.)
沸點115.73°C (estimate)
密度4.32 g/mL at 25 °C(lit.)
蒸氣壓3.8 mm Hg ( 25 °C)
溶解度reacts with H2O
形態(tài)無色單斜晶體
顏色colorless monoclinic crystals, crystalline
水溶解性reacts violently with H2O, forming Xe, O2, HF, and XeO3 [DOU83]
安全數(shù)據(jù)
常見問題列表
強氧化劑
二氟化氙（XeF2），也稱為二氟代氙，于1962年被發(fā)現(xiàn)。它是一種強氧化劑和氟化劑。外觀為無色透明晶體狀，室溫下易升華，有惡臭氣味。熔點為 303 K，極佳的選擇性和反應速度。二氟化氙遇水易分解，在中性或堿性溶液中也可分解，在酸性溶液中較為穩(wěn)定，遇易燃物可燃燒，具有強氧化性，并可使多種有機化合物、無機化合物氟化。理化性質
無色透明四方晶體。相對密度4.32(25/4℃)，熔點129℃，固體蒸氣壓為4.6×133.322Pa(25℃)。蒸氣也是無色的，有惡臭。易溶于無水氟化氫、氟化亞硝酰?三(氟化氫)和五氟化碘，但不發(fā)生電離。能被氫還原生成氙和氟化氫。與氟反應生成四氟化氙或六氟化氙。遇水則水解，過程很復雜。在日光直射下，氙與氟反應而制得。
產品特性
二氟化氙是氟化氙的一種，與四氟化氙、六氟化氙相比，二氟化氙氧化性及氟化性較為溫和，安全性較好。在水溶液中，二氟化氙起到氧化劑作用，例如，二氟化氙可以與溴酸鈉發(fā)生反應生成高溴酸鈉。在非水溶液中，二氟化氙起到氟化劑作用，具有選擇性好的優(yōu)點，被廣泛應用在有機氟化物、無機氟化物制備方面，并且二氟化氙作為氟化劑使用一般會釋放出氙，氙可回收再利用制成二氟化氙，循環(huán)經(jīng)濟效應好。除氧化劑與氟化劑外，二氟化氙還可以應用在核工業(yè)中，例如與氧化鈾反生反應分離出鈾-235。二氟化氙也可以應用在新材料制備方面，例如生產氟氮雙摻氧化石墨烯、紅外熒光氮摻雜石墨烯、氟摻雜螺旋碳納米管等。
據(jù)研究顯示，在化學氣相工藝中，二氟化氙也作為氟化劑使用，可對硅表面進行刻蝕，可制備二氟化氙氣相刻蝕阻擋層，也可以與無水氟化氫配合使用去除硅表面犧牲層。二氟化氙氣相刻蝕是一種非等離子刻蝕技術的微電子刻蝕技術，具有良品率高、成本較低的優(yōu)點，主要應用在MEMS（微機電系統(tǒng)）蝕刻工藝中。與濕式和SF 等離子蝕刻選項相比，它提供了許多獨特的優(yōu)勢和功能。
由于 XeF2是一種干氣相蝕刻，因此在通過小孔或狹窄空間進行蝕刻時，不存在與表面張力或氣泡相關的問題。XeF2已用于蝕刻直徑小至25nm的通孔。同樣，XeF2避免了粘附問題，這些問題通常與濕法蝕刻工藝相關，濕法蝕刻工藝會在釋放/干燥后導致永久性器件損壞。
隨著MEMS變得越來越復雜，它們包含由多種或非標準材料制成的組件。沒有其他各向同性蝕刻對這么多材料具有選擇性?？梢允褂枚趸琛⒌?、聚合物以及大多數(shù)金屬和電介質的任意組合來制造設備。
由于其選擇性和出色的覆蓋范圍，XeF2可用于制作非常長的底切，而蝕刻停止層、掩?；蚱骷訋缀鯖]有或沒有退化。例如，二氧化硅是一種非常流行的掩模材料，其Si:oxide選擇性 >1,000:1。二氧化硅掩模已用于實現(xiàn)非常長的底切（遠超過 100μm）并保護極小或極薄的設備（尺寸小于 30nm）。
用途
制備一種二氟化氙氣相刻蝕阻擋層，包括如下步驟：(1)將二氟化氙氣體噴灑到裸露的阻擋層的表面；(2)采用光束僅照射電介質層上表面的阻擋層，使電介質層上表面的阻擋層的刻蝕速率高于溝槽和連接孔側壁上的阻擋層的刻蝕速率。本發(fā)明通過向電介質層上表面的阻擋層照射光束，提高了電介質層上表面的阻擋層的刻蝕速率，使電介質層上表面的阻擋層的刻蝕速率高于溝槽和連接孔側壁上的阻擋層的刻蝕速率，避免溝槽和連接孔側壁上的阻擋層過度刻蝕，提高了微觀上的刻蝕均勻性，達到了更好的工藝效果。制備方法
二氟化氙制備是以氙、氟為原料，在加熱條件下反應制得。